大容量高纯SiC多晶原料合成炉研制及配套工艺包

地区：北京市西城区

关键词：中国创新挑战赛

需求类型：其它

需求领域：新材料

需求编号：D2021061600002103

解决方案：暂无

审核状态：通过审核

需求描述：

（包括主要技术、条件、成熟度、成本等指标）随着第三代半导体产业的蓬勃发展，碳化硅衬底的需求量以每年30%-50%的速度增长。作为碳化硅衬底生产的核心原材料。小量的碳化硅原料的生产，越来越不能满足迅速变大的碳化硅原料的需求量。产业急需高产量、高质量碳化硅原料的生产设备及生产工艺。1）高产量碳化硅原料合成设备，指标：极限真空：<5E-7mbar漏率：12h漏率<5Pa热场安装空间：>φ420×400加热温度：>2400℃工艺气体：Ar气等温控精度：±1℃控压系统：±0.1Torr自动化系统：可编程大于100段程序2）高产量、高质量碳化硅原料合成工艺，指标：原料纯度：主要杂质含量<1PPM原料颗粒度：80-8目单炉产量：>14Kg月产量：>190Kg生产成本：800元/kg 成果匹配

大容量高纯SiC多晶原料合成炉研制及配套工艺包

沪ICP备2021009587号-1 沪公网安备 31010402009217号