SiC和GaN第三代半导体硅外延片研究

地区：上海市嘉定区

关键词：上海星钰科技有限公司

需求类型：长三角创新合作

需求领域：新材料

需求编号：D2021061600000943

解决方案：暂无

审核状态：通过审核

需求描述：

公司目前开展SOI和第三代半导体材料的研究。目前SOI应用于高效率功率器件提高源漏极间的漏电帮助很大，另外SOI同样应用于MEMS光电传感器很有优势。 SiC和GaN作为第三代新型半导体材料有很大的应用前景，SiC外延片主要应用于功率器件，开发SiC MOS器件，应用于汽车电子领域。GaN外延片主要用于高频率的器件，在射频器件方面有很大优势。公司目前主要需求专业的技术人才和关键的技术研究。需要继续和国内外SOI以及SiC/GaN专家联系合作，并邀请相关专家博士作为全职引进人才或者顾问，解决终端用户在应用相关硅外延片时遇到的问题。成果匹配

SiC和GaN第三代半导体硅外延片研究

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