第六代场阻断沟槽型绝缘栅双极型晶体管(FS-TrenchIGBT)芯片设计技术

地区:江苏省 扬州市

关键词:

需求类型:其它

需求领域:其它

需求编号:D2021040600000447

解决方案:暂无

审核状态:未审核

需求描述:

第六代场阻断沟槽型绝缘栅双极型晶体管(FS-TrenchIGBT)芯片设计技术。具体技术要求:1200V/200A,饱和压降:VCES≤2.2V(Tj=125℃),开通能耗Eon≤30mJ(Tj=125℃),关断能耗Eoff≤30mJ(Tj=125℃)
成果匹配