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第六代场阻断沟槽型绝缘栅双极型晶体管(FS-TrenchIGBT)芯片设计技术
地区:
江苏省 扬州市
关键词:
需求类型:
其它
需求领域:
其它
需求编号:
D2021040600000447
解决方案:
暂无
审核状态:
未审核
需求描述:
第六代场阻断沟槽型绝缘栅双极型晶体管(FS-TrenchIGBT)芯片设计技术。具体技术要求:1200V/200A,饱和压降:VCES≤2.2V(Tj=125℃),开通能耗Eon≤30mJ(Tj=125℃),关断能耗Eoff≤30mJ(Tj=125℃)
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